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Zielbestrahlung und Spektroskopie
Die DREEBIT GmbH bietet die Möglichkeit, wissenschaftliche Experimente zur Ionenstrahlphysik durchzuführen und kundenbereitgestellte Proben zu bestrahlen. Gäste sind eingeladen, ihre Experimente in den hochtechnologischen Ionenbestrahlungseinrichtungen durchzuführen, die sich auf dem Firmengelände in Großroehrsdorf bei Dresden, Deutschland, befinden. Unsere Labore bieten eine moderne Infrastruktur mit technischer Unterstützung durch überwachende Ingenieure, Gästebüros, Zugang zu IT-Diensten für Gäste, ein spezielles Labor zur Montage von Ultrahochvakuum-Ausrüstung und eine hauseigene Werkstatt.
Neben der Möglichkeit, Strahlzeit an einer Einrichtung zu mieten und Experimente durchzuführen oder Proben selbst zu bestrahlen, wird auch die Ionisierung und experimentelle Arbeit als Dienstleistung von Mitarbeitern der DREEBIT GmbH angeboten. Die Experimente können von promovierten Wissenschaftlern mit fundierten physikalischen Kenntnissen, Ingenieuren und/oder Technikern mit umfangreicher experimenteller Erfahrung durchgeführt werden, um eine optimale Realisierung hochpräziser Messungen zu gewährleisten.
Für den Ionisierungs- und Ablagerungsdienst können drei Bestrahlungseinrichtungen mit einer Vielzahl von Ionenstrahlparametern angeboten werden. Die Ionenstrahlparameter und Anlageneigenschaften sind in der folgenden Tabelle aufgeführt. Wenn Sie Interesse an der Nutzung unserer Einrichtungen haben oder zusätzliche Fragen haben, kontaktieren Sie bitte unsere Forschungs- und Entwicklungsabteilung.
Micro Beam Facility | FIB / TOF-SIMS Facility | IMALION Implanter |
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Installed Ion Source | ||
Dresden EBIS-A | Dresden EBIS-M* | Dresden ECRIS-2.45M |
Ion Beam Energy | ||
from 100 eV up to 30 keV per ionic charge | < 8 keV per ionic charge | < 30 keV per ionic charge |
Ion Beam Current | ||
from pA up to µA (depending on ion species) | up to some 100 pA (depending on ion species) | up to some mA (depending on ion species) |
Ion Beam Spot Diameter at Target Chamber | ||
some 100 µm up to some mm | 10 µm up to 100 µm | some mm up to some 10 mm |
Spectroscopic Equipment | ||
Ion source: Semiconductor x-ray detectors, resolution 130 eV at Mn Kα |
Ion source: Semiconductor x-ray detectors, resolution 130 eV at Mn Kα; Target chamber: Time-Of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS) setup |
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Special Features | ||
Möglichkeit, Ionen zur Beschleunigung und Verlangsamung auf Ziele hin zu lenken, verfügbare Ionenenergien zwischen 100 eV und 30 keV pro Ladung. | Fein fokussierende Ionenoptik für Strahlfleckgrößen von etwa 10 µm für SEM-Bildgebung, TOF-SIMS-Analyse und Ionenlithographie. | Breitflächige Bestrahlungsoptik für homogene und senkrechte Ionenstrahlbestrahlung von Zielen über eine Breite von 200 mm. |
*Das Dresden EBIS-M ist eine modifizierte Version des Dresden EBIS-A, die dasselbe Spektrum und dieselbe Ausgabe von Ionen mit fortschrittlicher Optik für die Ionenausbeute liefert. Es wurde speziell für die Injektion von Ionen in Focused Ion Beam (FIB)-Säulen entwickelt. Seine Leistung wird derzeit untersucht. Das EBIS-M ist noch nicht als Standardprodukt von DREEBIT erhältlich, aber auf Anfrage können weitere Informationen und aktuelle Messergebnisse bereitgestellt werden.