Bei der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie werden zur Detektion sekundärer geladener Teilchen ultra-kurze Primärionenpulse erzeugt, welche die Sekundärionen aus dem zu analysierenden Oberflächenbereich herauslösen. Diese Sekundärionen werden beschleunigt und durchlaufen mit masseabhängigen Geschwindigkeiten eine Driftstrecke. Erreichen die Sekundärionen das Detektorsystem, werden diese dort mit hoher Zeitauflösung detektiert. Aus der so gemessenen Flugzeit kann dann die zugehörige Masse der nachgewiesenen Sekundärionen bestimmt werden.
Die TOF-SIMS-Methode liefert Informationen über die molekulare Zusammensetzung der obersten Atomlage einer Festkörperoberfläche. Durch die hohe erreichbare Massenauflösung kann eine zuverlässige Massenauflösung von chemischen Komponenten der Oberfläche erfolgen.
Die folgende Animation zeigt das Prinzip eines kombinierten FIB und TOF-SIMS mit einer DREEBIT Ionenquelle für die Erzeugung hochgeladener Ionen:
Nutzt man für TOF-SIMS Anwendungen hochgeladene Ionen ergeben sich daraus entscheidende Vorteile.
DREEBITs Ionenquellen stellen für TOF - SIMS Anlagen mit hochgeladenen Ionen eine hervorragende Basis dar.
Vorteile der TOF-SIMS Methode mit hochgeladenen Schwerionen:
extrem sensitive Oberflächenanalyse
hohe Raten an
Sekundärionen
Sekundärmolekülionen
Sekundärclusterionen
Sekundärelektronen
extrem breites Spektrum der an verfügbaren Primärionen für den Oberflächensputterprozess (einschließlich Edelgasionen)
kurze Umrüstzeiten beim Übergang von einer Primärionensorte zu einer anderen
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