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Anwendungen
Nanostrukturen
Einzelionentreffer erzeugen auf der Festkörperoberfläche Nanostrukturen, deren Dimensionen sowohl von der Ionenladung und der kinetischen Energie der Projektile als auch von elektrischen Eigenschaften des Festkörpers abhängen.
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HOPG 20 nm x 20 nm
Xe20+ bei 4 keV
(Mit freundlicher Genehmigung von Dr. Facsko, Helmholtzzentrum Dresden-Rossendorf)
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MICA 250 nm x 250 nm
Ar16+ bei 8 keV
(Mit freundlicher Genehmigung von Prof. Schleberger, Universität Duisburg-Essen)
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Oberflächenanalytik
Die hohen Ausbeuten an geladenen Sekundärteilchen sind die Grundlage für den Einsatz in verschiedenen Oberflächenanalytiktechniken wie TOF-SIMS oder LEAP.
Anwendungen in FIB (Focused Ion Beam)
Der Einsatz von EBIS/T – Ionenquellen in Verbindung mit FIB ermöglicht neue Zugänge bei der Arbeit mit Ionenfeinstrahlanlagen. Dies betrifft u.a.
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Edelgase –FIB: Für eine Reihe von Anwendungen in der Halbleiterindustrie und in der Materialforschung werden Ionenfeinstrahlen mit Edelgasen benötigt. EBIS/T sind geeignete Kompaktionenquellen für derartige Anwendungen.
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Ionen unterschiedlicher Ladungszustände erhalten im Beschleunigungspotential der FIB-Säule unterschiedliche kinetische Energien. Damit wird es möglich unterschiedliche Implantationstiefen der Ionen zu erzielen.
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Es entsteht erstmals die Möglichkeit, mit einer Ionenquelle Ionenfeinstrahlen nahezu aller Elemente zu erzeugen.
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Mit einem fokussierten Heliumstrahl erzeugte SEM Abbildung einer Siliziumoberfläche, auf der 10µm x 10µm Goldquadrate aufgabracht waren.
Der erzielte Ionenstrahldurchmesser lag dabei im Submikrometerbereich.
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